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三星宣布量产512GB UFS闪存:读取速度达860MB/s

2017-12-07 09:37:48 | 来源:超能网 | 编辑:张梦菲
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  三星今天宣布他们已经开始量产全球首款512GB嵌入式通用闪存(eUFS),新的64层V-NAND闪存将用于即将推出的旗舰手机和平板电脑,考虑到下个月就是CES 2018,三星有可能在下个月会展出搭载该款V-NAND闪存的相关设备。

  

 

  三星全新的512GB UFS闪存将8个64层512Gb V-NAND芯片和一个UFS控制芯片通过堆叠形式封装在一起,在体积上和以前的48层V-NAND 256GB芯片一样,但存储空间翻倍。为了最大限度发挥512GB eUFS的性能和效率,三星还应用了一套全新的技术,其先进的电路设计和新的电源管理技术还能将功耗降低,512GB eUFS控制器还加快了将逻辑块地址转换为物理地址的映射过程。

  接下来还是看看三星给出的数据吧,512GB eUFS的顺序读写速度分别达到了860MB/s和255MB/s,随机读取42000IOPS,写入40000IOPS,这样的表现确实比Galaxy S8上的UFS 2.1要好一些。最后三星还表示他们将扩大64层512Gb V-NAND芯片和256Gb-VNAND芯片的产能,并将其用于SSD产品上。

  至于什么时候有传输速度达到2400MB/s的UFS 3.0,只能很遗憾的告诉你最快也要明年初才能看到完整协议,应用到实际产品上起码还要等一年,所以整个2018年估计都会是UFS 2.1的天下,像三星这种UFS闪存供应商也只能默默将容量做大。

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